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NJW21194G中文资料

厂家型号

NJW21194G

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4144.88Kbytes

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6

功能描述

200 Watt Silicon Epitaxial Planar NPN Type Power Transistor

两极晶体管 - BJT 200W NPN

数据手册

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生产厂商

THINKISEMI

NJW21194G数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

·With TO-3PB-SQ pkg

·Complement to type NJW21193G

APPLICATIONS

·Power amplifier applications

·Recommended for 150W high fidelity audio

frequency amplifier output stage

NJW21194G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NJW21194G

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 200W NPN

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-11-25 18:03:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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NJW21194G 价格

参考价格:¥7.8586

型号:NJW21194G 品牌:ONSemi 备注:这里有NJW21194G多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,NJW21194G批发/采购报价,NJW21194G行情走势销售排排榜,NJW21194G报价。

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