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TZX9V1E-TAP	SmallSignalZenerDiodes FEATURES •Verysharpreversecharacteristic •Lowreversecurrentlevel •Veryhighstability •Lownoise •AEC-Q101qualified •Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •Voltagestabilization	VishayVishay Siliconix 威世科技
TZX9V1E-TAP	封装/外壳：DO-204AH，DO-35，轴向包装：卷带（TR）描述：DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35 分立半导体产品二极管 - 齐纳 - 单	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division
9V1BC	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodes BCSeries SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodes	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司
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TZX9V1E-TAP产品属性

类型
描述
型号
TZX9V1E-TAP
功能描述
稳压二极管 9.1 Volt 0.5W
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
齐纳电压
12 V
电压容差
5 %
电压温度系数
0.075 %/K
功率耗散
3 W
最大反向漏泄电流
3 uA
最大齐纳阻抗
7 Ohms
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装/箱体
DO-214AC
封装
Reel

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更新时间：2024-4-19 22:58:00

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