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TW031V65C

MOSFETs Silicon Carbide N-Channel MOS

Applications • Switching Voltage Regulators Features (1) Chip design of 3rd generation (Built-in SiC schottky barrier diode) (2) Low diode forward voltage: VDSF = -1.35 V (typ.) (3) High voltage: VDSS = 650 V (4) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 31 mΩ (typ.) (5) Less susceptible to

TOSHIBA

东芝

TW031V65C

Power SiC MOSFETs

TOSHIBA

东芝

更新时间:2025-11-26 17:37:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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