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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID=32A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 120V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 15.5mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC c | ISC 无锡固电 | |||
Power MOSFET 文件:259.72 Kbytes Page:4 Pages | SHINDENGEN |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
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QFP |
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恩XP |
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2022-2-12TT ELECTRONICS/LRC-LR1206LF-01-R040-F/40mΩ ±1% 1206芯片电阻18806643356
TT ELECTRONICS/LRC-LR1206LF-01-R040-F/40mΩ ±1% 1206芯片电阻
2021-5-15
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