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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
TSM6866SD

20V Dual N-Channel MOSFET

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TSC

台湾半导体

20V Dual N-Channel MOSFET

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TSC

台湾半导体

20V, 6A, Dual N-Channel Power MOSFET

TSC

台湾半导体

20V Dual N-Channel MOSFET

文件:217.69 Kbytes Page:6 Pages

TSC

台湾半导体

20V Dual N-Channel MOSFET

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TSC

台湾半导体

20V Dual N-Channel MOSFET

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TSC

台湾半导体

20V Dual N-Channel MOSFET w/ESD Protected

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TSC

台湾半导体

20V Dual N-Channel MOSFET

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TSC

台湾半导体

20V Dual N-Channel MOSFET w/ESD Protected

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TSC

台湾半导体

Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

文件:91.45 Kbytes Page:5 Pages

VAISH

威世

TSM6866SD产品属性

  • 类型

    描述

  • Type:

    N-Channel

  • Technology:

    Trench

  • Configuration:

    Dual

  • Status:

    Active

  • AEC-Q:

    No

  • VDS (V):

    20

  • VGS ±(V):

    12

  • ID Max. (A):

    6

  • TJ Max. (°C):

    150

  • RDS(ON) @ 4.5V Max. (mΩ):

    30

  • RDS(ON) @ 4.5V Typ. (mΩ):

    21

  • RDS(ON) @ 2.5V Max. (mΩ):

    40

  • RDS(ON) @ 2.5V Typ. (mΩ):

    30

  • Qg (nC) @ 4.5V:

    5

  • Qgd (nC):

    1.5

  • Qgs (nC):

    1

  • Ciss (pF):

    565

  • Coss (pF):

    105

  • Crss (pF):

    75

  • MSL:

    3

  • VGS(th) Max. (V):

    1.2

  • VGS(th) Min. (V):

    0.6

  • VGS(th) Typ. (V):

    0.85

更新时间:2026-5-13 19:55:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TSC/台湾半导体
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