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500V N-Channel Power MOSFET

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TSC

台湾半导体

Power MOSFET

FEATURES • Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current • Compliant to RoHS directive 2002/95/EC

VBSEMI

微碧半导体

N-Channel Power MOSFET 500V, 5A, 1.5廓

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TSC

台湾半导体

500V N-Channel Power MOSFET

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台湾半导体

500V N-Channel Power MOSFET

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台湾半导体

更新时间:2026-1-31 18:18:03
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