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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
TSM4936DCS | Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.0272 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 |   | |
TSM4936DCS | 30V, 5.9A, Dual N-Channel Power MOSFET | TSC 台湾半导体 | | |
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.0272 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
30V N-Channel MOSFET 文件：344.46 Kbytes Page：6 Pages | TSC 台湾半导体 | | ||
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC | VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司 | | ||
VHB?줥apes 文件：641.8 Kbytes Page：10 Pages | 3M | | ||
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.032079 Mbytes Page：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
Tapes provide the convenience and simplicity of a tape fastener and are ideal for use in many interior and exterior bonding applications. In many situations, they can replace rivets 文件：796.63 Kbytes Page：9 Pages | 3M | | ||
VHB?줥apes 文件：641.8 Kbytes Page：10 Pages | 3M | |
TSM4936DCS产品属性
- 类型
描述
- 型号
TSM4936DCS
- 功能描述
MOSFET Dual 30V N channel MOSFET
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TSC |
SOP-8 |
35500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
TSM4944DCS |
25+ |
4726 |
4726 |
||||
ST |
25+ |
SOP-8 |
16900 |
原装，请咨询 |
|||
Bychip |
23+ |
SOP8 |
10000 |
高品质替代,技术支持,参数选型 |
|||
TOSHIBA |
22+ |
SOP-8 |
3000 |
原装正品,支持实单 |
|||
ST |
26+ |
SOP-8 |
60000 |
只有原装 可配单 |
|||
NK/南科功率 |
2025+ |
SOP-8 |
986966 |
国产 |
|||
TSC America Inc. |
22+ |
8SOP |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
|||
TSC/台湾半导体 |
20+ |
SOP-8 |
300000 |
现货很近!原厂很远!只做原装 |
|||
TSC |
22+ |
SOP8 |
20000 |
公司只做原装 品质保证 |
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2020-3-12
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