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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
TSM1N60LCPRO

N-Channel650V(D-S)MOSFET

FEATURES •LowGateChargeQgResultsinSimpleDrive Requirement •ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dt Ruggedness •FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltage andCurrent •ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
TSM1N60LCPRO

600VN-ChannelPowerMOSFET

文件：311.14 Kbytes Page：7 Pages

TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd

台湾半导体台湾半导体股份有限公司

TSC
1N60

GOLDBONDEDGERMANIUMDIODE

GermaniumGlassDiode Features •GermaniumGlassDiode •RoHSCompliance

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

ETC
1N60

SiliconAvalancheDiodes-1500WattMetalAxialLeadedTransientVoltageSuppressors

FEATURES •Hermeticallysealed •Breakdownvoltagerange6.8-200volts •Glasspassivatedjunction •Excellentclampingcapability •Lowzenerimpedance •100surgetested •-55°Cto+150°C •Bi-directional MAXIMUMRATING •PeakPulsePower(Ppk):15000Watts(10x1000µs)@25°C(seedi

Littelfuselittelfuse

力特力特公司

Littelfuse
1N60

SchottkyBarrierDiode

Features 1.Highreliability 2.Lowreversecurrentandlowforwardvoltage Applications Lowcurrentrectificationandhighspeedswitching Construction Siliconepitaxialplanar

FORMOSAFormosa MS

美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司

FORMOSA
1N60

JEDECDO-7PACKAGE

JEDECDO-7PACKAGE

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商未分类制造商

ETC1
1N60

1.2Amps,600VoltsN-CHANNELMOSFET

DESCRIPTION TheUTC1N60isahighvoltageMOSFETandisdesignedtohavebettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowgatecharge,lowon-stateresistanceandhaveahighruggedavalanchecharacteristics.ThispowerMOSFETisusuallyusedathighspeedswitchingapplicationsinpow

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

TSM1N60LCPRO供应商更多...

更新时间：2025-5-11 8:36:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市胜彬电子有限公司
TSM1N60LCPRO
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TSM1N60SCT
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深圳市科恒伟业电子有限公司
TSM1N60SCT
TSC
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SOP
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深圳市得捷芯城科技有限公司
TSM1N60SCT
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海芯未来半导体电子（深圳）有限公司
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TSM1N60LCPRO
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    TSM1A473F39H1RZ，当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.

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