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N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgandUISTested •ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS •OR-ing •Server •DC/DC | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  |   | |
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| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2019-11-29TSDF02830Y-模拟杂项
特点•易门1切断PNP开关晶体管内部的PLL•两个不同的优化放大器在单一封装•集成的栅极保护二极管•低噪声系数，高增益•典型正向互异的31毫秒RESP28毫秒•部份内部自偏置网络芯片•更优越的交叉调制增益下降•高AGC的范围与软斜坡•主AGC控制范围从3V至0.5V的•电源电压5V（3V至7V）•SMD
2012-12-17
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