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Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 150V, 4.6A, RDS(ON) = 65mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Surface mount Package. RoHS compliant.

CET-MOS

华瑞

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 150V, 4.6A, RDS(ON) = 65mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. Surface mount Package. RoHS compliant. RDS(ON) = 82mW @VGS = 4.5V.

CET-MOS

华瑞

LOW PROFILE SHIELDED SMD CHIP POWER INDUCTOR

文件:1.72322 Mbytes Page:3 Pages

ABRACON

Cu Alloy Bare Ferrule, Smooth Funnel Entry, 6 AWG, 0.59 L, Seamless bbl, Tin Plated, For Use On Cu Cond.

文件:258.98 Kbytes Page:2 Pages

HUBBELL

Transient Voltage Suppressor Diodes

文件:152.68 Kbytes Page:3 Pages

Diotec

德欧泰克

更新时间:2026-1-3 23:07:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TI
24+
QFP
8168
公司现货库存,支持实单
HAMOS/汉姆
24+
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优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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CEM
SOP8
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CEM
20+
SOP-8
32550
原装优势主营型号-可开原型号增税票
CET/華瑞
20+
SO-8
120000
只做原装 可免费提供样品
NK/南科功率
2025+
SO-8
986966
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CET/華瑞
24+
SOP-8
60000
全新原装现货
CET/華瑞
2511
SO-8
360000
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价

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