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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=24A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=650V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=145mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andPFCCircuits

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

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ESeriesPowerMOSFETwithFastBodyDiode

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VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

Vishay
更新时间:2025-7-12 16:49:01
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