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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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TRS12N65FB | SiCSchottkyBarrierDiode 文件：305.49 Kbytes Page：6 Pages | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 |  |   |
封装/外壳：TO-247-3 包装：管件 描述：DODE SCHOTTKY 650V TO247 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
封装/外壳：TO-247-3 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：SIC SBD TO-247 V=650 IF=12A 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 | ETC 知名厂家 | ETC | | |
650VN-ChannelPowerMOSFET 文件：2.19427 Mbytes Page：9 Pages | DYELECDIYI Electronic Technology Co., Ltd. 迪一电子山东迪一电子科技有限公司 |  | | |
12A650VN-channelEnhancementModePowerMOSFET 文件：891.31 Kbytes Page：11 Pages | WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体股份有限公司 |  | | |
12A650VN-channelEnhancementModePowerMOSFET 文件：891.93 Kbytes Page：11 Pages | WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体股份有限公司 | | | |
12A650VN-channelEnhancementModePowerMOSFET 文件：891.23 Kbytes Page：11 Pages | WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体股份有限公司 | | | |
12A650VN-channelEnhancementModePowerMOSFET 文件：892.18 Kbytes Page：11 Pages | WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体股份有限公司 | | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
KEMET(基美) |
24+ |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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TTI |
23+ |
DIP |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
|||
ILOSAM |
NA |
8560 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
SWCC |
22+ |
DIP8 |
5000 |
原装现货库存.价格优势 |
|||
TTI |
20+ |
标准 |
15800 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
TTI |
1736+ |
DIP |
8529 |
专营继电器只做原装正品假一赔十! |
|||
TOSHIBA |
3 |
||||||
FERRAZ/罗兰熔断器 |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保 |
|||
TOS |
22+ |
TO-247 |
8900 |
全新正品现货 有挂就有现货 |
|||
TTI |
20+ |
DIP其它继电器 |
2890 |
只做原装现货继电器 |
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