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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
TRS10H120H | SiC Schottky Barrier Diode Applications • Power Factor Correction • Solar Inverters • Uninterruptible Power Supplies • DC-DC Converters Features (1) Chip design of 3rd generation (2) Low forward voltage : VF = 1.27 V (typ.) (3) Low total capacitive charge: Qc = 61 nC (typ.) (4) Low reverse current: IR = 1.0 μA (typ | TOSHIBA 东芝 |   | |
TRS10H120H | SiC Schottky barrier diode | TOSHIBA 东芝 | | |
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Application Load/Power Switching Interfacing Switching Logic Level Shift | TECHPUBLIC 台舟电子 | | ||
Low On-Resistance 文件：428.89 Kbytes Page：6 Pages | DIODES 美台半导体 | | ||
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability 文件：247.62 Kbytes Page：6 Pages | DIODES 美台半导体 | | ||
Trench Schottky Rectifier 文件：247.98 Kbytes Page：5 Pages | TSC 台湾半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
N/A |
61000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
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Toshiba |
23+ |
TO-247 |
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东芝全系列原厂正品现货 |
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Toshiba |
2025+ |
DFN-8 |
12420 |
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FERRAZ/罗兰熔断器 |
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5000 |
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保 |
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KEMET(基美) |
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TRS10H120H规格书下载地址
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