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TPS7H2211-SP_V03

TPS7H2211-SPandTPS7H2211-SEPRadiation-Hardness-Assured(RHA)14V,3.5AeFuse

1Features •Totalionizingdose(TID)characterizedto 100krad(Si) –Radiationhardnessassuranceavailabilityof 100krad(Si) •Single-eventeffects(SEE)characterized –Single-eventlatchup(SEL),single-event burnout(SEB),andsingle-eventgaterupture (SEGR)immunetolinearenergyt

TI1Texas Instruments

德州仪器

TI1
更新时间:2025-5-13 12:26:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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