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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
TPM2626-30 | MICROWAVE POWER GAAS FET FEATURES : ■ HIGH POWER P1dB = 45.5 dBm at 2.6 GHz ■ HIGH GAIN G1dB = 11.5 dB at 2.6 GHz ■ PARTIALLY MATCHED TYPE ■ HERMETICALLY SEALED PACKAGE | TOSHIBA 东芝 |   | |
TPM2626-30 | MICROWAVE POWER GAAS FET | TOSHIBA 东芝 | | |
GaN Hybrid Power Amplifier 文件：274.41 Kbytes Page：8 Pages | RFHIC | |
TPM2626-30产品属性
- 类型
描述
- 型号
TPM2626-30
- 制造商
TOSHIBA
- 制造商全称
Toshiba Semiconductor
- 功能描述
MICROWAVE POWER GAAS FET
更新时间：2026-1-28 19:51:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
3PEAK/思瑞浦 |
25+ |
SOP8 |
13250 |
原装正品现货供应商原厂货源渠道订货 |
|||
3PEAK |
25+ |
DFN4X4-8,EMSOP8,SOP8 |
68000 |
思瑞浦全线售卖,支持终端生产 |
|||
思瑞浦 |
21+ |
90 |
只做原装鄙视假货15118075546 |
||||
3peak |
24+ |
SOP-8 |
39500 |
进口原装现货 支持实单价优 |
|||
TOSHIBA |
24+ |
SMD |
1680 |
一级代理原装进口现货 |
|||
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
122 |
现货供应 |
||||
TOSHIBA/东芝 |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
3PEAK(思瑞浦) |
25+ |
封装 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
|||
TECH PUBLIC(台舟) |
23+ |
SOT-563 |
3000 |
三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) |
|||
3PEAK |
25+ |
20000 |
原装现货,可追溯原厂渠道 |
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