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TPM1919-60

MICROWAVE POWER GAAS FET

FEATURES : ■ HIGH POWER P1dB = 48.0 dBm at 1.9 GHz ■ HIGH GAIN G1dB = 13 dB at 1.9 GHz ■ PARTIALLY MATCHED TYPE ■ HERMETICALLY SEALED PACKAGE

TOSHIBA

东芝

TPM1919-60

MICROWAVE POWER GAAS FET

TOSHIBA

东芝

TPM1919-60产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    TPM1919-60

  • 制造商

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述

    TRANSISTOR, GAAS FET PARTIALLY MATCHED, 1GHZ, 185W - Trays

更新时间:2025-10-15 17:24:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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