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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.9Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

800V0.9(ohm)N-channelMOSFET

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MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MGCHIP

IscN-ChannelMOSFETTransistor

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更新时间:2024-6-23 23:00:01
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