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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
TPCP8H02

TOSHIBA Multi-Chip Transistor Silicon NPN Epitaxial Type, Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type

STROBE FLASH APPLICATIONS HIGH-SPEED SWITCHING APPLICATIONS DC-DC CONVERTER APPLICATIONS • Multi-chip discrete device; built-in NPN transistor for main switch and N-ch MOS FET for drive • High DC current gain: hFE = 250 to 400 (IC = 0.3 A) (NPN transistor) • Low collector-emitter saturation v

TOSHIBA

东芝

TPCP8H02

丝印代码：8H02；Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBA

东芝

TPCP8H02

Power transistor for high-speed switching applications

Application Scope：Camera flashes / DC/DC converters / High-speed switching\nPolarity：NPN + SMOS\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 Collector Current (Q1) IC 3 A \nCollector Current (Q1) ICP 5 A \nCollector power dissipation (Q1/Q2) (mounted on FR4 board (Cu 645mm**2, glass-epoxy t=1.6mm)) PC 2 W \nCollector-emitter voltage (Q1) VCEO 30 V \nDrain-Source voltage (Q2) VDSS 20 V ;

TOSHIBA

东芝

AP8H02LI

丝印代码：AP8H02LI；20V NN-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features - VDS = 20V ID =8.0A - RDS(ON)

APME

永源微电子

TAR8H02K

Dual Low-Dropout Regulator

文件：167.91 Kbytes Page：8 Pages

TOSHIBA

东芝

TPCP8H02产品属性

  • 类型

    描述

  • Polarity：

    NPN + SMOS

  • Internal Connection：

    Independent

  • Features：

    Low Satulation Voltage

  • VCEO(Max)(V)：

    30

  • IC(Max)(A)：

    3

  • hFE(Min)：

    250

  • hFE(Max)：

    400

  • VCE(sat)(Max)(V)：

    0.14

  • Number of pins：

    8

  • Surface mount package：

    Y

  • Package name：

    PS-8

  • Width×Length×Height(mm)：

    2.9 x 2.8 x 0.8

TPCP8H02供应商更多...

更新时间：2026-5-15 22:58:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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TPCP8J01
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