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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
TPB62

TRISIL

DESCRIPTION The TPB series are TRISIL devices especially designed for protecting sensitive telecommunication equipment against lightning and transient voltages induced by AC power lines. They are available in the CB429 axial package. TRISIL devices provide bidirectional protection by crowbar act

STMICROELECTRONICS

意法半导体

TPB65R075DFD

丝印代码：65R075DFD；650V Super-junction Power MOSFET

Description 650V Super-junction Power MOSFET Super-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs，designed accordingtotheSJprinciple. The deep trench SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conduction losses devicewithhighest robustness

WUMC

紫光国微

TPB65R075DFD

丝印代码：65R075DFD；650V Super-junction Power MOSFET

Description 650V Super-junction Power MOSFET Super-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs，designed accordingtotheSJprinciple. The deep trench SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conduction losses devicewithhighest robustness

WUMC

紫光国微

TPB65R075DFD

丝印代码：65R075DFD；650V Super-junction Power MOSFET

Description 650V Super-junction Power MOSFET Super-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs，designed accordingtotheSJprinciple. The deep trench SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conduction losses devicewithhighest robustness

WUMC

紫光国微

TPB65R075DFD

丝印代码：65R075DFD；650V Super-junction Power MOSFET

Description 650V Super-junction Power MOSFET Super-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs，designed accordingtotheSJprinciple. The deep trench SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conduction losses devicewithhighest robustness

WUMC

紫光国微

TPB68

TRISIL

DESCRIPTION The TPB series are TRISIL devices especially designed for protecting sensitive telecommunication equipment against lightning and transient voltages induced by AC power lines. They are available in the CB429 axial package. TRISIL devices provide bidirectional protection by crowbar act

STMICROELECTRONICS

意法半导体

TPB60R350C

丝印代码：60R350C；600V Super-Junction Power MOSFET

文件：1.49943 Mbytes Page：12 Pages

WUMC

紫光国微

TPB60R350C

丝印代码：60R350C；600V Super-Junction Power MOSFET

文件：1.0968 Mbytes Page：12 Pages

WUMC

紫光国微

TPB60R580C

SJ MOS

WUMC

紫光国微

TPB60R580C

丝印代码：60R580C；600V Super-Junction Power MOSFET

文件：1.68728 Mbytes Page：12 Pages

WUMC

紫光国微

TPB60R700C

丝印代码：60R700C；600V Super-Junction Power MOSFET

文件：1.27808 Mbytes Page：12 Pages

WUMC

紫光国微

TPB60R700C

SJ MOS

WUMC

紫光国微

TPB62

TPA

GALAXY

银河微电

TPB65R1K2C

丝印代码：65R1K2C；650V Super-Junction Power MOSFET

文件：1.27866 Mbytes Page：12 Pages

WUMC

紫光国微

TPB65R1K2C

丝印代码：65R1K2C；650V Super-Junction Power MOSFET

文件：1.67824 Mbytes Page：12 Pages

WUMC

紫光国微

TPB65R280D

丝印代码：65R280D；650V Super-Junction Power MOSFET

文件：893.4 Kbytes Page：9 Pages

WUMC

紫光国微

TPB65R380C

丝印代码：65R380C；650V Super-Junction Power MOSFET

文件：1.09553 Mbytes Page：12 Pages

WUMC

紫光国微

TPB65R380C

丝印代码：65R380C；650V Super-Junction Power MOSFET

文件：1.09553 Mbytes Page：12 Pages

WUMC

紫光国微

TPB65R600C

丝印代码：65R600C；650V Super-Junction Power MOSFET

文件：1.28371 Mbytes Page：12 Pages

WUMC

紫光国微

TPB65R600C

丝印代码：65R600C；650V Super-Junction Power MOSFET

文件：1.28371 Mbytes Page：12 Pages

WUMC

紫光国微

TPB65R750C

丝印代码：65R750C；650V Super-Junction Power MOSFET

文件：1.09445 Mbytes Page：12 Pages

WUMC

紫光国微

TPB65R940C

丝印代码：65R940C；650V Super-Junction Power MOSFET

文件：983.83 Kbytes Page：9 Pages

WUMC

紫光国微

TPB65R940C

丝印代码：65R940C；650V Super-Junction Power MOSFET

文件：983.83 Kbytes Page：9 Pages

WUMC

紫光国微

TPB6产品属性

  • 类型

    描述

  • ID(A)：

    11

  • RDS(on)-typ(Ω)：

    0.31

  • RDS(on)-max(Ω)：

    0.35

  • V(GS)th-min(V)：

    2.5

  • V(GS)th-max(V)：

    4

  • Ciss(pF)：

    901

  • Qg(nC)：

    21

  • Package：

    TO-263

TPB6供应商更多...

更新时间：2026-5-17 11:09:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司
TPBS1R102K410H5Q
TAYO
23+
SMD
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
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现代芯城（深圳）科技有限公司
TPB70R600M
26+
N/A
76000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
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艾睿（深圳）半导体有限公司
TPB70R600M
无锡紫光微
2447
TO-263
105000
800个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长
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深圳市星辰微电科技有限公司
TPB71703VI
3PEAK
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DFN1.4X1.8-6
68000
思瑞浦全线售卖,支持终端生产
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深圳市英创达电子半导体有限公司
TPB76200-TS3R
3PEAK/思瑞浦
25+
13250
原装正品现货供应商原厂货源渠道订货
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深圳市腾亿芯科技有限公司
TPBF11FGRA2
ALCOSWITCH
25+
NA
20000
原装
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深圳市振宏微科技有限公司
TPBF11FGRA2
ALCOSWITC
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NA
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TPB70R600M
无锡紫光微
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深圳市博中泰实业有限公司
TPB7460FEA-DFGE
3PEAK/思瑞浦
25+
DFN
90000
全新原装现货
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深圳市原品电子科技有限公司
TP-BI-3-4141A024SM12
EUCHNER
23+
SENSOR
128
全新、原装
询价

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    技术参数 耗散功率2.13 W 静态电流4.00 mA 输出功率3.10 W 工作温度(Max)105 ℃ 工作温度(Min)-40 ℃ 耗散功率(Max)2130 mW 电源电压2.5V ~ 5.5V 封装参数 安装方式Surface Mount 引脚数8 封装PowerPad-MSOP-8 外形尺寸 封装PowerPad-MSOP-8 物理参数 工作温度-40℃ ~ 105℃ (TA) 其他 产品生命周期Active

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