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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
TPB62

TRISIL

DESCRIPTION The TPB series are TRISIL devices especially designed for protecting sensitive telecommunication equipment against lightning and transient voltages induced by AC power lines. They are available in the CB429 axial package. TRISIL devices provide bidirectional protection by crowbar act

STMICROELECTRONICS

意法半导体

TPB65R075DFD

650V Super-junction Power MOSFET

Description 650V Super-junction Power MOSFET Super-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs，designed accordingtotheSJprinciple. The deep trench SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conduction losses devicewithhighest robustness

WUMC

紫光国微

TPB65R075DFD

650V Super-junction Power MOSFET

Description 650V Super-junction Power MOSFET Super-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs，designed accordingtotheSJprinciple. The deep trench SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conduction losses devicewithhighest robustness

WUMC

紫光国微

TPB65R075DFD

650V Super-junction Power MOSFET

Description 650V Super-junction Power MOSFET Super-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs，designed accordingtotheSJprinciple. The deep trench SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conduction losses devicewithhighest robustness

WUMC

紫光国微

TPB65R075DFD

650V Super-junction Power MOSFET

Description 650V Super-junction Power MOSFET Super-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs，designed accordingtotheSJprinciple. The deep trench SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conduction losses devicewithhighest robustness

WUMC

紫光国微

TPB68

TRISIL

DESCRIPTION The TPB series are TRISIL devices especially designed for protecting sensitive telecommunication equipment against lightning and transient voltages induced by AC power lines. They are available in the CB429 axial package. TRISIL devices provide bidirectional protection by crowbar act

STMICROELECTRONICS

意法半导体

TPB60R350C

600V Super-Junction Power MOSFET

文件：1.49943 Mbytes Page：12 Pages

WUMC

紫光国微

TPB60R350C

600V Super-Junction Power MOSFET

文件：1.0968 Mbytes Page：12 Pages

WUMC

紫光国微

TPB60R580C

600V Super-Junction Power MOSFET

文件：1.68728 Mbytes Page：12 Pages

WUMC

紫光国微

TPB60R580C

SJ MOS

WUMC

紫光国微

TPB60R700C

SJ MOS

WUMC

紫光国微

TPB60R700C

600V Super-Junction Power MOSFET

文件：1.27808 Mbytes Page：12 Pages

WUMC

紫光国微

TPB62

TPA

GALAXYCHANGZHOU GALAXY CENTURY MICROELECTRONICS CO.,LTD.

银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司

TPB65R1K2C

650V Super-Junction Power MOSFET

文件：1.67824 Mbytes Page：12 Pages

WUMC

紫光国微

TPB65R1K2C

650V Super-Junction Power MOSFET

文件：1.27866 Mbytes Page：12 Pages

WUMC

紫光国微

TPB65R280D

650V Super-Junction Power MOSFET

文件：893.4 Kbytes Page：9 Pages

WUMC

紫光国微

TPB65R380C

650V Super-Junction Power MOSFET

文件：1.09553 Mbytes Page：12 Pages

WUMC

紫光国微

TPB65R380C

650V Super-Junction Power MOSFET

文件：1.09553 Mbytes Page：12 Pages

WUMC

紫光国微

TPB65R600C

650V Super-Junction Power MOSFET

文件：1.28371 Mbytes Page：12 Pages

WUMC

紫光国微

TPB65R600C

650V Super-Junction Power MOSFET

文件：1.28371 Mbytes Page：12 Pages

WUMC

紫光国微

TPB65R750C

650V Super-Junction Power MOSFET

文件：1.09445 Mbytes Page：12 Pages

WUMC

紫光国微

TPB65R940C

650V Super-Junction Power MOSFET

文件：983.83 Kbytes Page：9 Pages

WUMC

紫光国微

TPB65R940C

650V Super-Junction Power MOSFET

文件：983.83 Kbytes Page：9 Pages

WUMC

紫光国微

TPB6产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    TPB6

  • 功能描述

    电气外壳 N4X ENCLOSURE NON METALLIC

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Bud Industries

  • 产品

    Wall Mount Enclosures

  • 类型

    Single Door NEMA

  • 额定值

    3R

  • 外部深度

    254 mm

  • 外部高度

    305 mm

  • 外部宽度

    305 mm

  • 面板宽度

    261 mm

  • 面板高度

    261 mm

  • 材料

    Steel

  • 颜色

    Gray

  • 通风

    Not Available

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更新时间：2025-10-5 14:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
北京京北通宇电子元件有限公司
TPB65R600C
无锡紫光微
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无锡紫光微
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深圳市德力诚信科技有限公司
TPB65R600C
无锡紫光微
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  • TPA6203A1GQVR

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