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TPA60R580C

600VSuper-JunctionPowerMOSFET

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WUMCWuxi Unigroup Microelectronics Company

紫光国微紫光国芯微电子股份有限公司

WUMC

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.58Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

600V0.58(ohm)N-channelMOSFET

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MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

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600V0.58(ohm)N-channelMOSFET

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更新时间:2025-7-19 20:00:00
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NA/
3295
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