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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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TPA60R580C | 600V Super-Junction Power MOSFET 文件：1.68728 Mbytes Page：12 Pages | WUMC 紫光国微 |   | |
TPA60R580C | 超结功率 MOSFET | WUMC 紫光国微 | | |
isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 8A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.58Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC | ISC 无锡固电 | | ||
600V 0.58(ohm) N-channel MOSFET 文件：1.13806 Mbytes Page：10 Pages | MGCHIP | | ||
600V 0.58(ohm) N-channel MOSFET 文件：1.07452 Mbytes Page：10 Pages | MGCHIP | | ||
600V 0.58(ohm) N-channel MOSFET 文件：1.07496 Mbytes Page：10 Pages | MGCHIP | | ||
600V 0.58(ohm) N-channel MOSFET 文件：1.07496 Mbytes Page：10 Pages | MGCHIP | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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TexasInstruments |
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ICAMPAUDIOPWR.05WSTER8SO |
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2020-3-25
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