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TP858C12R

SchottkyBarrierDiode

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FujiFuji Electric

富士电机富士电机株式会社

Fuji

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SchottkyBarrierRectifier

FEATURES ·MultilayerMetal-SiliconPotentialStructure. ·LowLeakageCurrent. ·HighCurrentCapability,HighEfficiency. ·HighJunctionTemperatureCapability.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

TP858C12R产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    TP858C12R

  • 制造商

    FUJI

  • 制造商全称

    Fuji Electric

  • 功能描述

    Schottky Barrier Diode

更新时间:2025-7-10 11:51:00
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