型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
TP858C12R

SchottkyBarrierDiode

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FujiFUJI CORPORATION

株式会社FUJI

Fuji

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SchottkyBarrierRectifier

FEATURES ·MultilayerMetal-SiliconPotentialStructure. ·LowLeakageCurrent. ·HighCurrentCapability,HighEfficiency. ·HighJunctionTemperatureCapability.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

TP858C12R产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    TP858C12R

  • 制造商

    FUJI

  • 制造商全称

    Fuji Electric

  • 功能描述

    Schottky Barrier Diode

更新时间:2024-5-15 20:19:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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