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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
TP858C12R | Schottky Barrier Diode Schottky Barrier Diode | FUJI 富士通 |   | |
TP858C12R | Schottky Barrier Diode | FUJI 富士通 | | |
Schottky Barrier Diode Schottky Barrier Diode | FUJI 富士通 | | ||
Schottky Barrier Diode Schottky Barrier Diode | FUJI 富士通 | | ||
Schottky Barrier Rectifier FEATURES ·Multilayer Metal -Silicon Potential Structure. ·Low Leakage Current. ·High Current Capability, High Efficiency. ·High Junction Temperature Capability. | ISC 无锡固电 | |
TP858C12R产品属性
- 类型
描述
- 型号
TP858C12R
- 制造商
FUJI
- 制造商全称
Fuji Electric
- 功能描述
Schottky Barrier Diode
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NSC |
25+ |
23 |
公司优势库存 热卖中!! |
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TPOWER |
1602+ |
SOT23-6 |
2491 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
FUJI |
22+ |
TO-220 |
8200 |
原装现货库存.价格优势 |
|||
FUJITSU/富士通 |
24+ |
TO-262 |
15000 |
原装正品/假一罚十/支持样品/可开发票 |
|||
FUJITSU/富士通 |
25+ |
TO-262 |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
FUJI |
22+ |
TO-262 |
20000 |
只做原装 品质保障 |
|||
FUJITSU/富士通 |
TO-262 |
22+ |
6000 |
十年配单,只做原装 |
|||
TECH PUBLIC |
24+ |
con |
10000 |
查现货到京北通宇商城 |
|||
FUJI |
23+ |
TO-262 |
400 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
23+ |
TO-263 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
TP858C12R规格书下载地址
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