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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
TP858C12R

Schottky Barrier Diode

Schottky Barrier Diode

FUJI

富士通

TP858C12R

Schottky Barrier Diode

FUJI

富士通

Schottky Barrier Diode

Schottky Barrier Diode

FUJI

富士通

Schottky Barrier Diode

Schottky Barrier Diode

FUJI

富士通

Schottky Barrier Rectifier

FEATURES ·Multilayer Metal -Silicon Potential Structure. ·Low Leakage Current. ·High Current Capability, High Efficiency. ·High Junction Temperature Capability.

ISC

无锡固电

TP858C12R产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    TP858C12R

  • 制造商

    FUJI

  • 制造商全称

    Fuji Electric

  • 功能描述

    Schottky Barrier Diode

更新时间:2026-8-3 18:11:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
天源POWER
21+
SOT89-5
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TPOWER
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SOT89
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