型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
YG858C12R

Schottky Barrier Diode

Schottky Barrier Diode

Fuji

富士通

YG858C12R

Schottky Barrier Rectifier

FEATURES ·Multilayer Metal -Silicon Potential Structure. ·Low Leakage Current. ·High Current Capability, High Efficiency. ·High Junction Temperature Capability.

ISC

无锡固电

YG858C12R

Schottky Barrier Diode

Fuji

富士通

Schottky Barrier Diode

Schottky Barrier Diode

Fuji

富士通

Schottky Barrier Diode

Schottky Barrier Diode

Fuji

富士通

YG858C12R产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    YG858C12R

  • 制造商

    FUJI

  • 制造商全称

    Fuji Electric

  • 功能描述

    Schottky Barrier Diode

更新时间:2025-11-21 17:29:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FUJI/富士电机
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FUJI/富士电机系列在售
FUJI
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    深圳科雨电子有限公司,联系人:卢小姐 手机:18975515225 原装正品 大量现货,有需要的可以联系我 QQ:97877805 微信:wei555222777

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