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TP65H050WS

650V Cascode GaN FET in TO-247

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TP65H050WS

采用 TO-247 封装的 650V 35mΩ 氮化镓GaN FET

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采用 TO-247 封装的 650V 50mΩ 氮化镓 AEC-Q101 Qualified GaN FET

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AEC-Q101 Qualified 650V GaN FET in TO-247 (source tab)

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650V Cascode GaN FET in TO-263 (source tab)

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更新时间:2025-12-23 17:34:00
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