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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=50A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=60mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC/DCConverter ·Ldealforhigh-frequencyswitchingand synchronousrectification

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

HIPERFETPowerMOSFTETs

HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.

IXYS

IXYS Corporation

IXYS

FastSwitchingSpeed

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ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

N-ChannelMOSFETinaTO-3PPlasticPackage

文件:870.58 Kbytes Page:6 Pages

FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd.

蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司

FOSHAN

HighVoltagePowerSupplies

文件:109.45 Kbytes Page:2 Pages

TDKTDK Corporation

TDK株式会社东电化(中国)投资有限公司

TDK
更新时间:2025-5-12 16:16:01
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IXYS
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MOSFET
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IXY
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