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SiliconEpitaxialPlanarDiode

Features •HighCapacitanceRatio:C2V/C25V=5.7(Typ.) •LowSeriesResistance:rs=1.2(Typ.) •ExcellentC-VCharacteristics,andSmallTrackingError.

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

KEXIN

VARIABLECAPACITANCEDIODE(UHFSHFTUNING)

UHFSHFTuning •Highcapacitanceratio:C2V/C25V=5.7(typ.) •Lowseriesresistance:rs=1.2Ω(typ.) •ExcellentC-Vcharacteristics,andsmalltrackingerror.

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

SiliconEpitaxialPlanarDiode

Features •HighCapacitanceRatio:C2V/C25V=5.7(Typ.) •LowSeriesResistance:rs=1.2(Typ.) •ExcellentC-VCharacteristics,andSmallTrackingError.

ZHAOXINGWEI

Zhaoxingwei Electronics ., Ltd

ZHAOXINGWEI

TOSHIBAVariableCapacitanceDiodeSiliconEpitaxialPlanarType

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TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
更新时间:2025-7-15 20:00:01
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