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MICROWAVE POWER GaAs FET

FEATURES ■ LOW INTERMODULATION DISTORTION IM3=-45 dBc at Pout= 30.0dBm Single Carrier Level ■ HIGH POWER P1dB=42.0dBm at 14.0GHz to 14.5GHz ■ HIGH GAIN G1dB=6.0 dB at 14.0 GHz to 14.5GHz ■ BROADBANDINTERNALLY MATCHEDFET ■ HERMETICALLY SEALED PACKAGE

TOSHIBA

东芝

X,Ku-Band Internally Matched FET

文件:221.09 Kbytes Page:5 Pages

EUDYNA

更新时间:2025-12-13 15:15:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
23+
TO-59
8510
原装正品代理渠道价格优势
TOSHIBA
18+
SMD
85600
保证进口原装可开17%增值税发票
TOSHIBA
NA
5500
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
TOSHIBA/东芝
2019+
SMD
6992
原厂渠道 可含税出货
TOSHIBA
三年内
1983
只做原装正品
TOSHIBA
24+
SMD
5500
长期供应原装现货实单可谈
TOSHIBA
20+
高频管
29516
高频管全新原装主营-可开原型号增税票
TOSHIBA/东芝
2223+
TOSHIBA
26800
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
TOSHIBA
2308+
原厂原包
6850
十年专业专注 优势渠道商正品保证
TOSHIBA/东芝
24+
100
现货供应

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