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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
TM6517

RF AMPLIFIER

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SPECTRUM

TM6517

RF AMPLIFIER MODEL

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APITECH

NPN SILICON PLANAR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

FEATURES * 350 Volt VCEO * Gain of 15 at IC=100mA APPLICATIONS * SUITABLE FOR AMPLIFIER AND SWITCHING PRODUCTS

ZETEX

NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

Description The HMBT6517 is designed for general purpose applications requiring high breakdown voltages. Features • High Collector-Emitter Breakdown Voltage • Low Collector-Emitter Saturation Voltage • The HMBT6517 is complementary to HMBT6520

HSMC

华昕

2-Output Power Operational Amplifier

SANYO

三洋

2-Output Power Operational Amplifier

SANYO

三洋

PNP (AMPLIFIER TRANSISTOR)

AMPLIFIER TRANSISTOR • Collector-Emitter Voltage: VCES = 40V • Collector Dissipation: Pc (max) = 625mW

SAMSUNG

三星

TM6517产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    TM6517

  • 制造商

    SPECTRUM

  • 制造商全称

    Spectrum Microwave, Inc.

  • 功能描述

    RF AMPLIFIER

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    属性 参数值 商品目录 模数转换芯片 读写接口类型 Serial 工作电压 2.7V~3.3V,4.75V~5.25V 输入类型 Differential 参考类型 External 输入数 2 采样率(sps) - A/D 位数 16

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