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TLV900X

TLV900xLow-Power,RRIO,1-MHzOperationalAmplifierforCost-SensitiveSystems

1Features •ScalableCMOSamplifierforlow-costapplications •Rail-to-railinputandoutput •Lowinputoffsetvoltage:±0.4mV •Unity-gainbandwidth:1MHz •Lowbroadbandnoise:27nV/√Hz •Lowinputbiascurrent:5pA •Lowquiescentcurrent:60μA/Ch •Unity-gainstable •Internal

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TLV900X

Low-Power,Rail-to-RailInorOut,1.2-MHzOperationalAmplifier

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TLV900xLow-Power,RRIO,1-MHzOperationalAmplifierforCost-SensitiveSystems

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TLV900xLow-Power,RRIO,1-MHzOperationalAmplifierforCost-SensitiveSystems

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Low-Power,Rail-to-RailInandOut,1-MHzOperationalAmplifier

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Low-Power,RRIO,1-MHzOperationalAmplifierforCost-SensitiveSystems

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Low-Power,Rail-to-RailInandOut,1-MHzOperationalAmplifier

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Low-Power,Rail-to-RailInandOut,1-MHzOperationalAmplifier

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Low-Power,RRIO,1-MHzOperationalAmplifierforCost-SensitiveSystems

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TLV900x-Q1Low-PowerRRIO1-MHzAutomotiveOperationalAmplifier

1Features •AEC-Q100qualifiedforautomotiveapplications –Temperaturegrade1:–40°Cto+125°C,TA –DeviceHBMESDclassificationlevel2 –DeviceCDMESDclassificationlevelC6 •ScalableCMOSamplifierforlow-costapplications •Rail-to-railinputandoutput •Lowinputoffsetvolt

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TLV900x-Q1Low-PowerRRIO1-MHzAutomotiveOperationalAmplifier

1Features •AEC-Q100qualifiedforautomotiveapplications –Temperaturegrade1:–40°Cto+125°C,TA –DeviceHBMESDclassificationlevel2 –DeviceCDMESDclassificationlevelC6 •ScalableCMOSamplifierforlow-costapplications •Rail-to-railinputandoutput •Lowinputoffsetvolt

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1Features •AEC-Q100qualifiedforautomotiveapplications –Temperaturegrade1:–40°Cto+125°C,TA –DeviceHBMESDclassificationlevel2 –DeviceCDMESDclassificationlevelC6 •ScalableCMOSamplifierforlow-costapplications •Rail-to-railinputandoutput •Lowinputoffsetvolt

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1Features •AEC-Q100qualifiedforautomotiveapplications –Temperaturegrade1:–40°Cto+125°C,TA –DeviceHBMESDclassificationlevel2 –DeviceCDMESDclassificationlevelC6 •ScalableCMOSamplifierforlow-costapplications •Rail-to-railinputandoutput •Lowinputoffsetvolt

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M12?륚DieCastPassiveI/OBox

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ALPHAWIREAlpha Wire

阿尔法电线

ALPHAWIRE

3M??RepulpableDouble-CoatedSplicingTape900

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3MMinnesota Mining and Manufacturing

明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司

3M

SUB-MINIATURESMTPUSHBUTTONSWITCHES

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E-SWITCH

E-Switch, Inc.

E-SWITCH

DETECTORSWITCHES-SUB-MINIATURESMT

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E-SWITCH

E-Switch, Inc.

E-SWITCH

LEDlamps

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VCC

Visual Communications Company

VCC
更新时间:2024-5-16 18:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TI(德州仪器)
23+
WSON8(2x2)
6000
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23+
SOT-23-THIN-8
8355
只做原装现货/实单可谈/支持含税拆样
Texas Instruments
22+/23+
8-SOIC
7500
原装进口公司现货假一赔百
TI
2202+
WSON8
4948
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品
TI(德州仪器)
23+
VSSOP8
7350
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!
TI
SOIC|8
70230
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量
TI
23+
SOT-23-8
46091
确保原装正品,一站式配单-认准水星电子。
TI(德州仪器)
24+
SOIC-8
690000
支持实单/只做原装
TI/BB
2023+
SOP8
700000
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分
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22+
NA
30000
原装正品支持实单

TLV900X芯片相关品牌

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    2022-12-17
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    TLV9022QDRQ1

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    TLV9004QDYYRQ1

    2022-6-15
  • TLV8811 单通道 425nA 毫微功耗放大器

    TLV8811(单通道)和TLV8812(双通道)系列精密超低功耗运算放大器是面向电池供电无线设备和低功耗有线设备中的成本优化型、“始终开启”感测应用的理想选择。凭借6kHz带宽、425nA静态电流以及削减至500μV以下的偏移电压,

    2021-8-4
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    TLV902x和TLV903x是一系列双通道和四通道比较器。该系列提供低输入偏移电压、集成上电复位(POR)电路和容错输入,具有良好的速度-功率组合和100ns的传播延迟。工作电压范围为1.65V至5.5V,每个通道的静态电源电流为18μa。

    2021-7-11
  • TLV9024?高精度双和四比较器

    TLV902x和TLV903x是一个双重和 四通道比较器。这个家庭的投入很低 偏置电压,集成上电复位(POR) 电路和容错输入具有良好的性能 具有传播延迟的速度-功率组合 100纳秒。

    2021-6-21