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DualEnhancementModeFieldEffectTransistor(NandPChannel)

FEATURES ■40V,6.1A,RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=46mΩ@VGS=4.5V. ■-40V,-5.2A,RDS(ON)=43mΩ@VGS=10V. RDS(ON)=65mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability

CETChino-Excel Technology

华瑞华瑞股份有限公司

CET

CLEARTHRU-HOLESPACER

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KEYSTONE

Keystone Electronics Corp.

KEYSTONE

Nytye®MountingPlatforms

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AEC-Q100Qualifies

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ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

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ROHMRohm

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更新时间:2025-7-15 15:40:01
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