| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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LATERAL N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFET • High Gain, Rugged Device • Broadband Performance from HF to 1 GHz • Bottom Side Source Eliminates DC Isolators, Reducing Common Mode Inductances | MOTOROLA 摩托罗拉 | |||
Silicon Complementary Transistors Audio Power Amp, Switch Description: The NTE184 (NPN) and NTE185 (PNP) are silicon complementary transistors in a TO126 plastic package designed for use in power amplifier and switching circuits. Features: • Excellent Safe Area Limits | NTE | |||
Adjustable Micropower Voltage References 文件:747.67 Kbytes Page:14 Pages | NSC 国半 | |||
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| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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原装进口,国产代理,货源渠道百分百正品,每一片芯片都可追溯至原厂
2020-6-10TL16C752BPTR公司原装现货
瀚佳科技(深圳)有限公司 专业进口电子元器件代理商
2019-11-12
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