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TL-50N10

N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs

ETC

知名厂家

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■ 100V, 50A, RDS(ON) = 30mΩ @VGS = 10V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ TO-220 & TO-263 package. ■ Lead free product is acquired.

CET

华瑞

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 100V, 50A, RDS(ON) = 30mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. Lead free product is acquired.

CET-MOS

华瑞

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES 100V, 50A, RDS(ON) = 30mW @VGS = 10V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. TO-220 & TO-263 package. Lead free product is acquired.

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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

FEATURES ■ 100V, 50A, RDS(ON) = 30mΩ @VGS = 10V. ■ Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). ■ High power and current handing capability. ■ TO-220 & TO-263 package. ■ Lead free product is acquired.

CET

华瑞

N-CHANNEL MOSFET in a TO-220 Plastic Package

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FOSHAN

蓝箭电子

更新时间:2026-1-2 11:09:00
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    【用 途】 开关电源脉宽调制/控制/驱动 【性能 参数】 双列16脚贴片式封装,最大工作电压=41V;输出电流=250mA;工作频率=1kHz~300kHz,允许功 耗=800mW;集发电压=41V;电源电压=7~40V;集电极输出电流=5~200mA;集极输出电压=40V;定时电阻=1.8~500KΩ。

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    2012-11-17