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位置：首页 > IC中文资料第2912页 > TK80A08K3(Q)

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
TK80A08K3

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
TK80A08K3

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=75V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.5mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

TK80A08K3(Q)产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    TK80A08K3(Q)

  • 功能描述

    MOSFET MOSFET N-ch 75V 80A

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

TK80A08K3(Q)供应商更多...

更新时间：2025-7-21 9:48:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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TK80A08K3
TOSHIBA/东芝
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TK80A08K3(MU,Q)
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