TK50P04M1(T6RSS-Q)价格

参考价格:¥2.1232

型号:TK50P04M1(T6RSS-Q) 品牌:Toshiba 备注:这里有TK50P04M1(T6RSS-Q)多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,TK50P04M1(T6RSS-Q)批发/采购报价,TK50P04M1(T6RSS-Q)行情走势销售排行榜,TK50P04M1(T6RSS-Q)报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

High-Efficiency DC-DC Converter Applications Switching Regulator

Features (1) High-speed switching (2) Low gate charge: QSW = 9.4 nC (typ.) (3) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 6.7 mΩ (typ.) (VGS = 10 V) (4) Low leakage current: IDSS = 10 µA (max) (VDS = 40 V) (5) Enhancement mode: Vth = 1.3 to 2.3 V (VDS = 10 V, ID = 0.5 mA) Applications • Swi

TOSHIBA

东芝

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBA

东芝

iscN-Channel MOSFET Transistor

文件:333.31 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:2.61171 Mbytes Page:5 Pages

DOINGTER

杜因特

P-Channel 40 V (D-S) MOSFET

文件:1.07855 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

TK50P04M1(T6RSS-Q)产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    TK50P04M1(T6RSS-Q)

  • 功能描述

    MOSFET N-ch 40V 50A DP

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-21 16:40:02
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