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TK2R9E10PL_V01

MOSFETsSiliconN-channelMOS

1.Applications •High-EfficiencyDC-DCConverters •SwitchingVoltageRegulators •MotorDrivers 2.Features (1)High-speedswitching (2)Smallgatecharge:QSW=48nC(typ.) (3)Smalloutputcharge:Qoss=164nC(typ.) (4)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=2.4mΩ(typ.)(VGS

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
更新时间:2025-7-18 13:28:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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