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MOSFETs Silicon N-Channel MOS

Applications • Switching Voltage Regulators Features (1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 4.7 Ω (typ.) (2) Low leakage current : IDSS = 10 μA (max) (VDS = 720 V) (3) Enhancement mode: Vth = 2.5 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.2 mA)

TOSHIBA

东芝

isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:834.34 Kbytes Page:5 Pages

DOINGTER

杜因特

更新时间:2026-1-2 16:12:01
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