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MOSFETsSiliconN-ChannelMOS

Applications •SwitchingVoltageRegulators Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.23Ω(typ.)byusingSuperJunctionStructure:DTMOS (2)EasytocontrolGateswitching (3)Enhancementmode:Vth=3to4V(VDS=10V,ID=0.45mA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

iscN-ChannelMOSFETTransistor

文件:323.29 Kbytes Page:2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
更新时间:2025-7-15 18:27:01
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