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TK16A60W,S4VXM

MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOSIV)

Applications Switching Voltage Regulators Features (1) Low drain-source on-resistance: Rpg(on) = 0.16 Q (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) Enhancement mode: Vi, = 2.7t0 3.7V (Vpg = 10V, Ip = 0.79 mA)

TOSHIBA

东芝

更新时间:2025-9-28 13:20:00
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