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TK160F10N1L

Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)

1. Applications • Automotive • Switching Voltage Regulators • DC-DC Converters • Motor Drivers 2. Features (1) AEC-Q101 qualified (2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 2.0 mΩ (typ.) (VGS = 10 V) (3) Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 100 V) (4) Enhancement mode: Vth

TOSHIBA

东芝

TK160F10N1L

Power MOSFET (N-ch single 60V VDSS 150V)

TOSHIBA

东芝

AEC-Q101 qualified

Applications • Automotive • Switching Voltage Regulators • DC-DC Converters • Motor Drivers Features (1) AEC-Q101 qualified (2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 2.0 m Ω (typ.) (VGS = 10 V) (3) Low leakage current: IDSS = 10 µA (max) (VDS = 100 V) (4) Enhancement mode: Vth

TOSHIBA

东芝

更新时间:2025-12-31 23:01:00
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TOSHIBA(东芝)
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