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TK15S04N1L

MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)

1. Applications • Automotive • Motor Drivers • Switching Voltage Regulators 2. Features (1) AEC-Q101 qualified (2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 13.7 mΩ (typ.) (3) Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 40 V) (4) Enhancement mode: Vth = 1.5 to 2.5 V (VDS = 10 V, ID =

TOSHIBA

东芝

TK15S04N1L

Power MOSFET (N-ch single 30V VDSS 60V)

TOSHIBA

东芝

TK15S04N1L

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.029329 Mbytes Page:5 Pages

DOINGTER

杜因特

更新时间:2026-1-3 23:01:00
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