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TK13A50D_V01

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSⅦ)

Switching Regulator Applications Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.31 Ω (typ.) High forward transfer admittance: ⎪Yfs⎪ = 7.5 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 500 V) Enhancement-mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

TOSHIBA

东芝

更新时间:2025-11-24 20:00:00
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