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TK130V60Z1

MOSFETs Silicon N-Channel MOS

Applications • Switching Power Supplies Features (1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.108 Ω (typ.) (2) High-speed switching properties with the lower capacitance. (3) Enhancement mode: Vth = 3 to 4 V (VDS = 10 V, ID = 0.73 mA)

TOSHIBA

东芝

更新时间:2025-8-14 14:36:00
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