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TK12P50W

MOSFETs Silicon N-Channel MOS

Applications • Switching Voltage Regulators Features (1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.265 Ω (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) Enhancement mode: Vth = 2.7 to 3.7 V (VDS = 10 V, ID = 0.6 mA)

TOSHIBA

东芝

TK12P50W

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:333.88 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

TK12P50W

Power MOSFET (N-ch 250V VDSS 500V)

TOSHIBA

东芝

更新时间:2025-9-28 22:59:00
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