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TK12E80W

MOSFETs Silicon N-Channel MOS

Applications • Switching Voltage Regulators Features (1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.38 Ω (typ.) by using Super Junction Structure : DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) Enhancement mode: Vth = 3.0 to 4.0 V(VDS = 10 V, ID = 0.57 mA)

TOSHIBA

东芝

TK12E80W

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=11.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=800V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =0.45Ω(Max) DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

TK12E80W

Power MOSFET (N-ch 700V VDSS)

TOSHIBA

东芝

更新时间:2025-9-28 22:59:00
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