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TK11P65W

MOSFETs Silicon N-Channel MOS

Applications • Switching Voltage Regulators Features (1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.35 Ω (typ.) by used to Super Junction Structure : DTMOS (2) Easy to control Gate switching (3) Enhancement mode: Vth = 2.5 to 3.5 V (VDS = 10 V, ID = 0.45 mA)

TOSHIBA

东芝

TK11P65W

Power MOSFET (N-ch 500V VDSS 700V)

TOSHIBA

东芝

TK11P65W

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:319.86 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

更新时间:2025-9-30 18:35:00
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