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位置：首页 > IC中文资料第469页 > TK11A50D

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
TK11A50D

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA
TK11A50D

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=11A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.6Ω(Max) DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
RES11A50

RES11AMatched,Thin-FilmResistorDividersWith1-kΩInputs

1Features •Widetemperaturerange:–40°Cto+125°C •Highratiomatchingprecision:±0.05(maximum) •Lowdrift:±2ppm/°CTCR(maximum) 2Applications •Precisionvoltagedivider,precisionleveltranslation •Gainandattenuatingamplifiers •DifferenceamplifierswithhighCMRR •D

TI1Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

TI1
PXU11A50

MODELPXU-TEMPERATURE/PROCESSCONTROLLERS

文件：1.90669 Mbytes Page：32 Pages

REDLION

Red Lion Controls. Inc

REDLION
PXU11A50

PXUPIDController

文件：564.56 Kbytes Page：3 Pages

REDLION

Red Lion Controls. Inc

REDLION

TK11A50D产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    TK11A50D

  • 功能描述

    MOSFET N-Ch 500V FET Vgss 30V 45W .45 ohm

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

TK11A50D供应商更多...

更新时间：2025-7-14 20:41:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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    TK12P60W，全新.当天发货或门市自取，如需了解更多产品信息联系我们.零七五五.八二七三二二九一企鹅:一一七四零五二三五三，V:八七六八零五五八.

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