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Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)

1. Applications • Automotive • Switching Voltage Regulators • Motor Drivers 2. Features (1) AEC-Q101 qualified (2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 1.9 mΩ (typ.) (VGS = 10 V) (3) Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 40 V) (4) Enhancement mode: Vth = 1.5 to 2.5 V (VDS =

TOSHIBA

东芝

更新时间:2026-2-12 8:08:01
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