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TK090Z65Z

MOSFETs Silicon N-Channel MOS

Applications • Switching Power Supplies Features (1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.075 Ω (typ.) (2) High-speed switching properties with lower capacitance. (3) Enhancement mode: Vth = 3 to 4 V (VDS = 10 V, ID = 1.27 mA)

TOSHIBA

东芝

TK090Z65Z

Power MOSFET (N-ch 500V

TOSHIBA

东芝

包装:卷带(TR) 描述:MOSFET N-CH 650V 30A TO247-4L 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

ETC

知名厂家

更新时间:2025-12-30 10:07:00
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