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Silicon P-Channel MOS (U-MOS)

1. Applications • Automotive • Motor Drivers • DC-DC Converters • Switching Voltage Regulators 2. Features (1) AEC-Q101 qualified (2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 80 mΩ (typ.) (VGS = -10 V) (3) Low leakage current: IDSS = -10 μA (max) (VDS = -60 V) (4) Enhancement mode: Vth

TOSHIBA

东芝

P-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features VDS= -60V, ID= -30A RDS(ON)

BYCHIP

百域芯

Automotive Motor Drivers DC-DC Converters Switching Voltage Regulators

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TOSHIBA

东芝

P-Channel 60-V (D-S) MOSFET

文件:989.95 Kbytes Page:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

更新时间:2026-2-24 20:00:01
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