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TJ60S06M3L_V01

Silicon P-Channel MOS (U-MOS)

1. Applications • Automotive • Motor Drivers • DC-DC Converters • Switching Voltage Regulators 2. Features (1) AEC-Q101 qualified (2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 8.6 mΩ (typ.) (VGS = -10 V) (3) Low leakage current: IDSS = -10 μA (max) (VDS = -60 V) (4) Enhancement mode: Vt

TOSHIBA

东芝

更新时间:2025-11-28 15:23:00
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