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Power Management Switches

Features (1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 28 mΩ (typ.) (VGS = -10 V) (2) Low leakage current: IDSS = -10 µA (max) (VDS = -40 V) (3) Enhancement mode: Vth = -0.8 to -2.0 V (VDS = -10 V, ID = -0.1 mA) Applications • Motor Drivers • Power Management Switches

TOSHIBA

东芝

Isc P-Channel MOSFET Transistor

• DESCRITION • Switching Voltage Regulators • FEATURES • Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 36mΩ (MAX) • Enhancement mode: Vth =0.8 to 2V (VDS = -10 V, ID=-7.5A) • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation

ISC

无锡固电

Bipolar Small-Signal Transistors

MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBA

东芝

TJ15P04M3,RQ(S产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    TJ15P04M3,RQ(S

  • 功能描述

    MOSFET P-Ch MOS 1100 pF 29W PD -15A -40V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-22 20:00:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA/东芝
22+
SOT-252
100000
代理渠道/只做原装/可含税
TOSHIBA/东芝
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原装现货,当天可交货,原型号开票
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